「旧ソ連製ゲルマニウムデバイス」の版間の差分

2023年2月27日 (月) 10:11時点における最新版

以下に挙げるのは、2016年〜2019年^[1]に管理人が買い集めた旧ソ連製ゲルマニウムデバイスの規格表である。軍用規格で製造された良好な状態の旧ソ連製ゲルマニウムデバイスが安価で市場に放出されていることを知り、「オール旧ソ連製ゲルマニウムデバイスでラジオを組もう」と思い、売るほど大量に買ったのだ。

実物を手にすると、欧米や日本で製造されたデバイスとは異なる趣きが興味深い。軍用と割り切って開発・製造したため、小信号トランジスタと一部のダイオードは、日本を含む海外で一般的に使われるTO-1やTO-5、TO-18等のJEDEC規格とはまったく異なる、重厚感という単語しか出て来ない独特な形状のメタルキャンパッケージを採用しており、小信号用の小型タイプでも1個2g以上ある。セラー曰く「1970年代に製造したものも有るが、遅くとも1980年代後半〜1990年代前半に製造された」そうだが、Перестройкаペレストロイカ(再構築)とГласностьグラスノスチ(情報公開)による崩壊前夜の旧ソ連国営企業と言えども、さすがにこの時期にはそれなりの半導体量産体制が構築できたのだろう。半導体が国産可能な日本を含む非共産圏諸国ではとうの昔にゲルマニウムからシリコンへの移行が済んだこの時期に、まだゲルマニウムで半導体を製造していたことには多少驚くものの、シリコンに較べてバンドギャップが低い(＝順方向電圧降下が少ない＝低電圧でも動く)ことや電子移動度と正孔移動度が異常に高い(＝高速動作が可能である)ことを理由に、軍に準ずる組織の存在感が大きい共産圏諸国ではゲルマニウムデバイスの製造が最近まで続いていた^[2]ことは自然なことかもしれない。

秋葉原の電子部品屋やジャンク屋に出回っている日本製ゲルマニウムデバイスのデッドストック品やジャンク品と較べても、製造後20〜30年以上経過しているにもかかわらずパッケージやリードに錆が一切無く全てが正常品で、不良品が混ざってないことも素晴しい。買い込み始めた当初は何割か不良品が混ざっていることを見込んでいたが、この結果には感服した。現代の一般市民が常識的な価格で購入できるゲルマニウムデバイスとしては、日本製より旧ソ連製のほうが「状態は良い」と断言できる^[3]。

これらのデバイスは50個もしくは100個の単位で紙製の箱に納められ、未開封の場合は藁半紙による帯封が為され製造年月入りの緘印が捺されている。開封すると、箱の蓋と底に、恐らく湿度調整と緩衝材代わりと思われる漂白されてない綿が敷き詰められている場合があるが、その綿を取ると、蓋側に、昔懐かしい藁半紙のガリ版刷りによる規格表が収まっている。この規格表も曲者で、我々が見慣れたレベルの内容が書かれているものもあれば、 $V_{c e}$ すら書かれてないメモ程度のものもある。共通しているのは、各数値は $V_{c b}$ や $I_{C}$ 、 $h_{f e}$ 等の欧米や日本の規格表で一般的に使われる略号を一切使わず全て文章で説明されていることと、単位がキリル文字表記^[4]となっていることである。そのため、ロシア語とキリル文字に慣れないと、そこに書かれている数値が何を示しているかが一瞥しただけでは読み取れない。逆に言えば、それらの数値がどういった意味かが文章で説明されているので、ロシア語とキリル文字表記さえ読めれば、トランジスタやダイオードの基本的なことを知った初学者にもとっつき易い。

規格表にある周波数特性は、数値で記述されている場合は一貫して «Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером» 、日本語に訳すと『エミッタ接地回路の電流増幅率でのカットオフ周波数』 $f_{α e}$ ^[5]である。日本で製造・発売されているデバイスの規格表では、旧くは『ベース接地回路の電流増幅率でのカットオフ周波数』 $f_{α b}$ ^[5]、最近は『トランジション周波数』 $f_{T}$ ^[6]で記述されてるため注意を要する。また、『ジャンクション温度』 $T_{j}$ がケルビン(絶対温度)単位で表記されているため、下表では規格表にある数値から273を引いてセルシウス度(摂氏)単位に直している。

なお、高周波用ゲルマニウムトランジスタで $P_{C}$ や $I_{C}$ が大きく取れるものがなかなか見つからない。旧ソ連では大電力高周波回路を真空管やシリコントランジスタに任せていたのだろうか。

旧ソ連製ゲルマニウムトランジスタ規格表
型名 (ロシア語)	型名 (英語)	極性	構造	用途	$P_{C}$	$V_{c b}$	$V_{c e}$	$V_{e b}$	$I_{C}$	$T_{j}$	$f_{α e}$	$C_{c}$	$r_{b b^{'}}$	$h_{f e}$	$N F$	個数
1Т308А	1T308A	PNP	合金拡散	小電力高周波増幅、発振	150mW	20V	12V	3V	50mA	85℃	100MHz	≤ 8pF		25-75	≤ 8dB	675
1Т308Б	1T308B	PNP	合金拡散	小電力高周波増幅、発振	150mW	20V	12V	3V	50mA	85℃	120MHz	≤ 8pF		50-120	≤ 8dB	300
1Т308В	1T308V	PNP	合金拡散	小電力高周波増幅、発振	150mW	20V	12V	3V	50mA	85℃	120MHz	≤ 8pF		80-150	≤ 8dB	700
1Т313А	1T313A	PNP	合金拡散	小電力マイクロ波増幅、スイッチング	100mW	15V	12V	0.7V	30mA	70℃	350M-1GHz	2.5pF		20-200	8dB	100
1Т313Б	1T313B	PNP	合金拡散	小電力マイクロ波増幅、スイッチング	100mW	15V	12V	0.7V	30mA	70℃	450M-1GHz	2.5pF		20-200	8dB	100
1Т403А	1T403A	PNP	合金	中電力低周波増幅、スイッチング、コンバータ	4W	45V	30V	20V	1.25A	85℃	≥ 8kHz			20-60		300
1Т403Б	1T403B	PNP	合金	中電力低周波増幅、スイッチング、コンバータ	4W	45V	30V	20V	1.25A	85℃	≥ 8kHz			50-150		200
1Т403Г	1T403G	PNP	合金	中電力低周波増幅、スイッチング、コンバータ	4W	45V	30V	20V	1.25A	85℃	≥ 8kHz			50-150		210
1Т403Д	1T403D	PNP	合金	中電力低周波増幅、スイッチング、コンバータ	4W	45V	30V	20V	1.25A	85℃	≥ 8kHz			50-150		280
1Т403Ж	1T403ZH	PNP	合金	中電力低周波増幅、スイッチング、コンバータ	4W	45V	30V	20V	1.25A	85℃	≥ 8kHz			20-60		80
ГТ109А	GT109A	PNP	合金	小電力低周波/中間周波低雑音増幅	30mW	18V	6V		20mA	80℃	≥ 1MHz	≤ 30pF		20-50	≤ 12dB	425
ГТ109Б	GT109B	PNP	合金	小電力低周波/中間周波低雑音増幅	30mW	18V	6V		20mA	80℃	≥ 1MHz	≤ 30pF		35-80	≤ 12dB	300
ГТ109В	GT109V	PNP	合金	小電力低周波/中間周波低雑音増幅	30mW	18V	6V		20mA	80℃	≥ 1MHz	≤ 30pF		60-130	≤ 12dB	370
ГТ109Д	GT109D	PNP	合金	小電力低周波/中間周波低雑音増幅	30mW	18V	6V		20mA	80℃	≥ 3MHz	≤ 40pF		20-70	≤ 12dB	640
ГТ109Е	GT109E	PNP	合金	小電力低周波/中間周波低雑音増幅	30mW	18V	6V		20mA	80℃	≥ 5MHz	≤ 40pF		50-100	≤ 12dB	208
ГТ109Г	GT109G	PNP	合金	小電力低周波/中間周波低雑音増幅	30mW	18V	6V		20mA	80℃	≥ 1MHz	≤ 30pF		110-250	≤ 12dB	345
ГТ109Ж	GT109ZH	PNP	合金	小電力低周波/中間周波低雑音増幅	30mW	18V	6V		20mA	80℃	≥ 1MHz	≤ 40pF		20-50	≤ 12dB	200
ГТ109И	GT109I	PNP	合金	小電力低周波/中間周波低雑音増幅	30mW	18V	6V		20mA	80℃	≥ 1MHz	≤ 40pF		20-80	≤ 12dB	100
ГТ310А	GT310A	PNP	合金拡散	小電力高周波増幅	30mW	10V		12V	10mA	75℃	80MHz			20-70	≤ 3dB	170
ГТ310Б	GT310B	PNP	合金拡散	小電力高周波増幅	30mW	10V		12V	10mA	75℃	80MHz			20-70	≤ 3dB	50
ГТ310Е	GT310E	PNP	合金拡散	小電力高周波増幅	30mW	10V		12V	10mA	75℃	80MHz			40-180	≤ 4dB	90
ГТ313А	GT313A	PNP	合金拡散	小電力高周波増幅、スイッチング	50mW	15V	12V	0.7V	30mA	70℃	300MHz	≤ 2.5pF		20-200	≤ 8dB	150
ГТ313Б	GT313B	PNP	合金拡散	小電力高周波増幅、スイッチング	50mW	15V	12V	0.7V	30mA	70℃	450MHz	≤ 2.5pF		20-200	≤ 8dB	120
ГТ313В	GT313V	PNP	合金拡散	小電力高周波増幅、スイッチング	50mW	15V	12V	0.7V	30mA	70℃	350MHz	≤ 2.5pF		30-170	≤ 8dB	105
ГТ320А	GT320A	PNP	合金拡散	小電力高周波増幅、スイッチング	200mW	20V	6V	3V	150mA	70℃	≥ 120MHz	≤ 8pF		20-80		650
ГТ320Б	GT320B	PNP	合金拡散	小電力高周波増幅、スイッチング	200mW	20V	6V	3V	150mA	70℃	≥ 120MHz	≤ 8pF		50-120		603
ГТ320В	GT320V	PNP	合金拡散	小電力高周波増幅、スイッチング	200mW	20V	6V	3V	150mA	70℃	≥ 200MHz	≤ 8pF		80-250		50
ГТ338А	GT338A	PNP	合金拡散	スイッチング	100mW		20V		1A	85℃	120MHz	2pF				100
ГТ341А	GT341A	NPN	プレーナ	小電力マイクロ波増幅	35mW	10V	5V	0.3V	10mA	85℃	1.5GHz	≤ 1pF	≤ 20Ω	4	≤ 4dB	20
ГТ341Б	GT341B	NPN	プレーナ	小電力マイクロ波増幅	35mW	10V	5V	0.3V	10mA	85℃	2GHz	≤ 1pF	≤ 20Ω	4	≤ 4.4dB	30
ГТ341В	GT341V	NPN	プレーナ	小電力マイクロ波増幅	35mW	10V	5V	0.5V	10mA	85℃	1.5GHz	≤ 1pF	≤ 20Ω	4	≤ 4.4dB	20
ГТ346А	GT346A	PNP	エピタキシャルプレーナ	小電力高周波増幅	50mW	20V	20V	0.3V	10mA	85℃	≥ 700MHz	≤ 1.3pF		10-150	≤ 7dB	130
ГТ402А	GT402A	PNP	合金	小電力低周波増幅 ГТ404А(GT404A)とコンプリメンタリ	600mW		25V		500mA	85℃	≥ 1MHz			30-80		360
ГТ402В	GT402V	PNP	合金	小電力低周波増幅 ГТ404В(GT404V)とコンプリメンタリ	600mW		40V		500mA	85℃	≥ 1MHz			30-80		200
ГТ402Е	GT402E	PNP	合金	小電力低周波増幅	600mW		40V		500mA	85℃	≥ 1MHz			60-150		140
ГТ402Ж	GT402ZH	PNP	合金	小電力低周波増幅 ГТ404Ж(GT404ZH)とコンプリメンタリ	600mW		40V		500mA	85℃	≥ 1MHz			60-150		150
ГТ402И	GT402I	PNP	合金	小電力低周波増幅 ГТ404И(GT404I)とコンプリメンタリ	600mW		40V		500mA	85℃	≥ 1MHz			60-150		206
ГТ404А	GT404A	NPN	合金	小電力低周波増幅 ГТ402А(GT402A)とコンプリメンタリ	600mW		25V		500mA	85℃	≥ 1MHz			30-80		170
ГТ404В	GT404V	NPN	合金	小電力低周波増幅 ГТ402В(GT402V)とコンプリメンタリ	600mW		40V		500mA	85℃	≥ 1MHz			30-80		190
ГТ404Г	GT404G	NPN	合金	小電力低周波増幅	600mW		40V		500mA	85℃	≥ 1MHz			60-150		80
ГТ404Ж	GT404ZH	NPN	合金	小電力低周波増幅 ГТ402Ж(GT402ZH)とコンプリメンタリ	600mW		40V		500mA	85℃	≥ 1MHz			60-150		108
ГТ404И	GT404I	NPN	合金	小電力低周波増幅 ГТ402И(GT402I)とコンプリメンタリ	600mW		40V		500mA	85℃	≥ 1MHz			60-150		90
ГТ806Д	GT806D	PNP	合金拡散	大電力高周波増幅	30W	60V	140V	15V	15A	85℃	≥ 10MHz			10-100		6
ГТ905А	GT905A	PNP	合金拡散	大電力高周波増幅	6W	60V	60V		3A	85℃	≥ 30MHz	≤ 200pF		35-100		100
МП10А	MP10A	NPN	合金	小電力低周波増幅	150mW	30V	30V	30V	20mA	85℃	≥ 1MHz	≤ 60pF	≤ 150Ω	≥ 15	≤ 10dB	100
МП10Б	MP10B	PNP	合金	小電力低周波増幅	150mW	30V	30V	30V	20mA	85℃	≥ 1MHz	≤ 60pF	≤ 150Ω	25-50	≤ 10dB	100
МП11	MP11	NPN	合金	小電力低周波増幅 МП15(MP15)とコンプリメンタリ	150mW	15V	15V	15V	20mA	85℃	≥ 2MHz	≤ 60pF	≤ 150Ω	25-55	≤ 10dB	208
МП13Б	MP13B	PNP	合金	小電力低周波増幅	150mW	15V	15V	15V	20mA	70℃	≥ 1MHz	≤ 50pF	≤ 150Ω	20-60		100
МП14	MP14	PNP	合金	小電力低周波増幅	150mW	15V	15V	15V	20mA	85℃	≥ 1MHz	≤ 50pF	≤ 150Ω	20-40		100
МП14Б	MP14B	NPN	合金	小電力低周波増幅	150mW	30V	30V	30V	20mA	85℃	≥ 1MHz	≤ 50pF	≤ 150Ω	30-60		100
МП15	MP15	PNP	合金	小電力低周波増幅 МП11(MP11)とコンプリメンタリ	150mW	15V	15V	15V	20mA	85℃	≥ 2MHz	≤ 50pF	≤ 150Ω	30-60		100
МП15А	MP15A	PNP	合金	小電力低周波増幅	150mW	15V	15V	15V	20mA	85℃	≥ 2MHz	≤ 50pF	≤ 150Ω	50-100		90
МП16А	MP16A	PNP	合金	スイッチング	150mW	15V	12V	15V	50mA	85℃	≥ 1MHz			30-100		100
МП21А	MP21A	PNP	合金	小電力低周波増幅	150mW	35V	12V	35V	20mA	75℃	1MHz	50pF		20-40		100
МП25	MP25	PNP	合金	小電力低周波増幅	200mW	60V	40V	40V	80mA	75℃	≥ 250kHz	≤ 70pF	≤ 150Ω	13-25		100
МП25А	MP25A	PNP	合金	小電力低周波増幅	200mW	60V	40V	40V	80mA	75℃	≥ 250kHz	≤ 70pF	≤ 150Ω	20-50		100
МП26А	MP26A	PNP	合金	小電力低周波増幅	200mW	100V	70V	70V	80mA	75℃	≥ 250kHz	≤ 50pF	≤ 150Ω	30-50		600
МП26Б	MP26B	PNP	合金	小電力低周波増幅	200mW	100V	70V	70V	80mA	75℃	≥ 500kHz	≤ 50pF	≤ 150Ω	30-80		200
МП37	MP37	NPN	合金	小電力低周波低雑音増幅 МП40(MP40)とコンプリメンタリ	150mW	15V	15V		20mA	85℃	≥ 1MHz	≤ 60pF	≤ 220Ω	15-30	≤ 12dB	700
МП37А	MP37A	NPN	合金	小電力低周波低雑音増幅	150mW	30V	30V		20mA	85℃	≥ 1MHz	≤ 60pF	≤ 220Ω	15-30	≤ 12dB	1000
МП37Б	MP37B	NPN	合金	小電力低周波低雑音増幅	150mW	30V	30V		20mA	85℃	≥ 1MHz	≤ 60pF	≤ 220Ω	25-50	≤ 12dB	1100
МП39Б	MP39B	PNP	合金	小電力低周波低雑音増幅	150mW	15V	15V	20V	30mA	85℃	≥ 500kHz	≤ 60pF	≤ 220Ω	20-60	≤ 12dB	200
МП40	MP40	PNP	合金	小電力低周波低雑音増幅 МП37(MP37)とコンプリメンタリ	150mW	15V	15V		20mA	85℃	≥ 1MHz	≤ 60pF	≤ 220Ω	20-40	≤ 12dB	950
МП41	MP41	PNP	合金	小電力低周波低雑音増幅	150mW	15V	15V	20V	30mA	85℃	≥ 1MHz	≤ 60pF	≤ 220Ω	30-60	≤ 12dB	300
П4ВЭ ВП	P4VE VP	PNP	合金	大電力低周波増幅	25W	70V	60V		5A	90℃	≥ 150kHz			≥ 10	≤ 23dB	20
П27Б	P27B	PNP	合金	小電力低周波低雑音増幅	30mW	5V	5V		6mA	75℃	≥ 3MHz	≤ 50pF		20-120	≤ 5dB	100
П29	P29	PNP	合金	スイッチング	30mW	12V	12V	12V	100mA	75℃	≥ 5MHz	≤ 20pF		20-50		150
П40	P40	PNP	(記述なし)	小電力低周波低雑音増幅	150mW	15V	15V	3V	20mA	85℃	1MHz	60pF	220Ω	20-80	≤ 12dB	100
П210В	P210V	PNP	合金	大電力低周波増幅、スイッチング	45W	45V	25V	25V	12A	75℃	≥ 100kHz			10		12
П213А	P213A	PNP	合金	大電力低周波増幅、スイッチング	10W	45V	30V	10V	5A	85℃	≥ 150kHz			20		350
П215	P215	PNP	合金	大電力低周波増幅、スイッチング	10W	80V	70V	15V	5A	85℃	≥ 150kHz			20-150		200
П216Б	P216B	PNP	合金	大電力低周波増幅、スイッチング	24W	35V	35V	15V	7.5A	75℃	200kHz			≥ 10		20
П217В	P217V	PNP	合金	大電力低周波増幅、スイッチング	30W	60V	45V	15V	7.5A	75℃	100kHz			≥ 15		50
П416А	P416A	PNP	合金拡散	小電力高周波増幅	100mW	12V	12V	3V	25mA	75℃	60MHz	≤ 8pF		60-125		100
П416Б	P416B	PNP	合金拡散	小電力高周波増幅	100mW	12V	12V	3V	25mA	75℃	80MHz	≤ 8pF		90-200		700
П605	P605	PNP	(記述なし)	中電力高周波増幅	3W	45V	0.7V	0.3V	1.5A	70℃	30MHz	50pF		≥ 35		100
П605А	P605A	PNP	(記述なし)	中電力高周波増幅	3W	45V	0.7V	0.3V	1.5A	70℃	30MHz	50pF		≥ 75		32
П607	P607	PNP	(記述なし)	中電力高周波増幅	1.5W	45V	25V	30V	0.3A	85℃	100MHz	16pF		20-80		20

旧ソ連製ゲルマニウムダイオード規格表
型名 (ロシア語)	型名 (英語)	用途	構造	$V_{b r}$	$I_{f}$	$I_{r}$	$V_{f}$	$F_{d}$	個数
1Д507А	1D507A	汎用・パルス	マイクロ合金	20V	16mA	50µA	0.5V		1300
Д2В	D2V	検波	点接触	30V	25mA	150µA	1V	250kHz	30
Д310	D310	汎用・パルス	メサ拡散	20V	500mA	20µA	0.55V		350
Д311	D311	汎用・パルス	メサ拡散	30V	500mA	100µA	0.15V		3100
Д9Б	D9B	検波	点接触	10V	40mA	250µA	1V	100kHz	2400
Д9Д	D9D	検波	点接触	30V	30mA	250µA	1V	40kHz	2400
Д9Е	D9E	検波	点接触	50V	20mA	250µA	1V	100kHz	200
Д9И	D9I	検波	点接触	100V	30mA	120µA	1V	100kHz	100
Д9Л	D9L	検波	点接触	100V	15mA	250µA	1V	40kHz	2200

【番外】旧ソ連製シリコントランジスタ規格表
型名 (ロシア語)	型名 (英語)	極性	用途	$P_{C}$	$V_{c b}$	$V_{c e}$	$V_{e b}$	$I_{C}$	$T_{j}$	$f_{α e}$	$C_{c}$	$r_{b b^{'}}$	$h_{f e}$	$N F$	個数
П302	P302	PNP	中電力低周波増幅、コンバータ	2W		30V		0.5A	120℃	≥ 200kHz			6-10		90
П306	P306	PNP	中電力低周波増幅、コンバータ	10W	60V	60V		0.4A	150℃	≥ 50kHz			5-50		7

【番外】旧ソ連製発光ダイオード規格表
型名 (ロシア語)	型名 (英語)	用途	色	$λ_{D}$	$I_{V}$	$V_{F}$	$I_{F}$	$V_{R}$	$V_{F_{(max)}}$	$I_{F_{(max)}}$	$I_{f p}$	$T_{opr}$	$ϕ$	備考	個数
3Л102В	3L102V	光による表示	緑(可視光)	530nm	0.25cd/m²	2.8V	20mA	2.0V	2.8V	22mA	60mA(2ms)	-60 - +70℃	4mm	メタルケース、ガラスレンズ、ゴールドリード	380
АЛ102АМ	AL102AM	光による表示	赤(可視光)	660 - 740nm	0.13cd/m²		5mA	2.0V	2.8V	20mA	60mA(2ms)	-60 - +70℃	4mm	メタルケース、ガラスレンズ	5180
АЛ102ВМ	AL102VM	光による表示	緑(可視光)	552 - 572nm	0.45cd/m²		20mA	2.0V	2.8V	22mA	60mA(2ms)	-60 - +70℃	4mm	メタルケース、ガラスレンズ	1240
АЛ310А	AL310A	光による表示	赤(可視光)	660nm	0.60cd/m²	2.0V	10mA	4.0V	4.0V	12mA		-60 - +70℃	5.3mm		500

【番外】日本製ゲルマニウムトランジスタ規格表
型名	メーカ	用途	$P_{C}$	$V_{c b}$	$I_{C}$	$T_{j}$	$f_{α b}$	$C_{c}$	$r_{b b^{'}}$	$h_{f e}$
2SA18	日立	小電力高周波増幅	80mW	21V	15mA	85℃	19MHz	9.5pF		20
2SA74	東芝	小電力高周波増幅	120mW	50V	50mA	75℃	70MHz	2.2pF	30Ω	70
2SA77	東芝	発振	55mW	18V	5mA	75℃	110MHz	1.7pF	40Ω	20-350
2SA101	松下	小電力高周波/中間周波増幅, 周波数変換、周波数混合、発振	75mW	40V	10mA	75℃	15MHz	1.7pF	30Ω	≥ 12
2SA102	松下	小電力高周波/中間周波増幅, 周波数変換、周波数混合、発振	75mW	40V	10mA	75℃	25MHz	1.7pF	40Ω	40
2SA103	松下	小電力高周波/中間周波増幅, 周波数変換、周波数混合、発振	75mW	40V	10mA	75℃	35MHz	1.7pF	50Ω	50
2SA141	三菱	小電力中間周波増幅	80mW	15V	15mA	85℃	4MHz	12pF	60Ω	70
2SA159	日電	周波数変換	20mW	15V	4mA	65℃	55MHz	1.5pF		50
2SA161	ソニー	小電力高周波増幅	50mW	20V	15mA	85℃	400MHz( $f_{T}$ )	1.2pF	80Ω
2SA202B	三洋	小電力中間周波増幅、周波数変換	100mW	15V	15mA	75℃	12MHz	11pF	70Ω	55
2SA203B	三洋	小電力中間周波増幅	100mW	15V	15mA	75℃	5MHz	11pF	55Ω	30
2SA213	日電	小電力高周波増幅、周波数混合	15mW	15V	2mA	65℃	140MHz	1pF		25
2SA214	日電	周波数変換、発振	15mW	15V	2mA	65℃	140MHz	1pF		25
2SA215	日電	小電力高周波増幅	15mW	15V	2mA	65℃	120MHz	1pF		40
2SA221	三洋	小電力高周波増幅、周波数変換	70mW	20V	15mA	75℃	55MHz	3.5pF	35Ω	90
2SA235	日立	小電力高周波増幅、周波数変換	80mW	20V	10mA	85℃	135MHz	2.1pF		90
2SA246	日立	小電力高周波増幅	100mW	30V	30mA	85℃	160MHz	3pF		70
2SA271	富士通	周波数変換	80mW	9V	10mA	85℃	30MHz	3pF	50Ω	60
2SA272	富士通	中間周波増幅	80mW	9V	10mA	85℃	20MHz	3pF	50Ω	45
2SA330	三洋	小電力高周波/中間周波増幅	50mW	20V	10mA	75℃	19MHz	1.5-6.5pF	≤ 90Ω	13-550
2SA350	日立	小電力高周波増幅、周波数変換、周波数混合、発振	80mW	20V	10mA	80℃	40MHz	2.5pF		90
2SA361	三菱	小電力高周波増幅、周波数変換、周波数混合、発振	80mW	20V	10mA	85℃	125MHz	2.3pF	80Ω	70
2SA362	三菱	小電力高周波増幅	100mW	30V	30mA	85℃	150MHz	3pF	70Ω	70
2SA370	三菱	小電力高周波増幅	120mW	75V	50mA	85℃	40MHz	2.5pF	40Ω	70
2SA466	東芝	小電力高周波増幅、周波数変換、周波数混合、発振	55mW	18V	10mA	85℃	15MHz	3pF	50Ω	40
2SA468	東芝	小電力高周波増幅、周波数変換、周波数混合、発振	55mW	18V	10mA	85℃	30MHz	3pF	40Ω	70
2SA471	東芝	小電力高周波増幅、周波数変換、周波数混合、発振	55mW	18V	10mA	85℃	19MHz	≤ 3.5pF		50
2SB22	三洋	中電力低周波増幅	300mW	25V	200mA	85℃	1MHz	1pF
2SB32	富士通	小電力低周波増幅	150mW	20V	50mA	85℃	800kHz			40
2SB54	東芝	小電力低周波増幅	150mW	30V	150mA	75℃	1MHz	35pF	120Ω	80-300
2SB56	東芝	小電力低周波増幅	150mW	30V	150mA	75℃	1MHz	35pF	120Ω
2SB77	日立	小電力低周波増幅	150mW	25V	100mA	85℃	2MHz			70
2SB127	松下	大電力低周波増幅	30W	32V	3.5A	90℃	6kHz
2SB135	三菱	小電力低周波増幅	100mW	30V	100mA	85℃				70
2SB136	三菱	中電力低周波増幅	150mW	25V	150mA	85℃
2SB156	日立	中電力低周波増幅	150mW	16V	300mA	85℃				45
2SB185	三洋	中電力低周波増幅	200mW	25V	150mA	85℃	1MHz			45
2SB186	三洋	中電力低周波増幅	200mW	25V	150mA	85℃	1MHz	25pF		120
2SB187	三洋	中電力低周波増幅	200mW	25V	150mA	85℃	1MHz
2SB270	三洋	小電力低周波増幅	150mW	12V		85℃				80
2SB415	東芝	大電力低周波増幅	200mW	32V	1A	85℃	1MHz
2SB423	東芝	中電力低周波増幅	150mW	30V	150mA	75℃
2SB439	東芝	中電力低周波増幅	150mW	30V	150mA	75℃	2MHz			70-270
2SB448	松下	大電力低周波増幅	13W	32V	1A	90℃
2SB449	松下	大電力低周波増幅	22.5W	50V	3.5A	100℃	≥ 7kHz
2SB473	松下	大電力低周波増幅	4.3W	32V	1A	90℃	20kHz
2SB492	三洋	大電力低周波増幅	6W	25V	2A	85℃	700kHz

参照文献

Вадим Львович Аронов, Альберт Валентинович Баюков, Анатолий Александрович Зайцев, Юрий Аронович Каменецкий, Альберт Израилевич Миркин, Вячеслав Мокряков, Владимир Матвеевич Петухов, Аркадий Квинтилианович Хрулев, Николай Николаевич Горюнов, «Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник», Энергоатомиздат, 1985
Альберт Валентинович Баюков, Александр Борисович Гитцевич, Анатолий Александрович Зайцев, Вячеслав Владимирович Мокряков, Владимир Матвеевич Петухов, Аркадий Квинтилианович Хрулев, Николай Николаевич Горюнов, «Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник», Энергоатомиздат, 1987
Иосиф Федорович Николаевский, «Транзисторы. Справочник», Издательство „Связь”, 1969
Анатолий Владимирович Нефедов, «Диоды, транзисторы и модули для силовой электроники», РадиоСофт, 2010

脚注

↑ 2020年2月頃から全世界的に知覚され始めたCOVID-19パンデミックにより国際航空路が大幅減便されたことで国際郵便とクーリエが機能不全に陥ったところに、2022年2月24日、ロシアはウクライナへ一方的な軍事侵攻を実行した。侵攻から1年経った2023年2月24日時点でもこの軍事侵攻の帰趨は見出せていないが、たとえどのような結末を迎えようとも、恐らく今後数年単位で、ロシア国民から直接この種のデバイスを購入することはできないだろう。
その理由は、今回の軍事侵攻でロシアは世界中から猛反発を食らい、日本を含む国際政治と民間経済が協調して迅速かつ大規模な経済制裁を課した結果、国際的な金融決済プラットフォームとインターネット通販/オークションプラットフォームからロシアとロシア国民が一斉に締め出されたうえ、隣接する旧ソ連の衛星国を含む周辺諸国がロシア国籍の航空機による領空の飛行を禁止したことでロシアの国際航空路が事実上封鎖されたため、ロシア国民が抱える商品をロシア国外に輸送・販売し外貨を得る手段が皆無となったからである。
管理人はロシア中部にあるトムスク州の州都トムスク在住の個人セラーと懇意にしていたが、この軍事侵攻後に連絡が取れなくなってしまった。
↑ 1991年3月24日にNHK総合テレビで放送された『電子立国日本の自叙伝第2回トランジスタの誕生』では、1991年時点でもゲルマニウムデバイスを製造していたアメリカ企業・ゲルマニウム・パワー・デバイス社を取材しており、インタビューに応じた副社長は出荷先とその用途を「インド陸軍の通信機器向け」と発言している。
↑ 半導体デバイスとしての「性能の善し悪し」は別問題なのは言うまでもないが、個人的には「日本製と大差無い」という感想を抱いている。
↑ 物理量単位は、電圧VがВ、電力WがВт、秒sがс、周波数HzがГц、抵抗ΩがОм、静電容量FがФ、インダクタンスHがГн、利得dBがдБ。電流AはА、絶対温度KはКで同じ。補助単位は、G(ギガ;10⁹)がГ、µ(マイクロ;10^-6)がмк、n(ナノ;10^-9)がн、p(ピコ;10^-12)がп。M(メガ;10⁶)はМ、k(キロ;10³)はк、m(ミリ;10^-3)はмで同じ。
↑ ^5.0 ^5.1 利得が通常値より3dB落ちる( $\frac{1}{\sqrt{2}}$ 倍になる)周波数
↑ $h_{f e}$ が0dBになる(1倍になる)周波数

[war-1] 2020年2月頃から全世界的に知覚され始めたCOVID-19パンデミックにより国際航空路が大幅減便されたことで国際郵便とクーリエが機能不全に陥ったところに、2022年2月24日、ロシアはウクライナへ一方的な軍事侵攻を実行した。侵攻から1年経った2023年2月24日時点でもこの軍事侵攻の帰趨は見出せていないが、たとえどのような結末を迎えようとも、恐らく今後数年単位で、ロシア国民から直接この種のデバイスを購入することはできないだろう。
その理由は、今回の軍事侵攻でロシアは世界中から猛反発を食らい、日本を含む国際政治と民間経済が協調して迅速かつ大規模な経済制裁を課した結果、国際的な金融決済プラットフォームとインターネット通販/オークションプラットフォームからロシアとロシア国民が一斉に締め出されたうえ、隣接する旧ソ連の衛星国を含む周辺諸国がロシア国籍の航空機による領空の飛行を禁止したことでロシアの国際航空路が事実上封鎖されたため、ロシア国民が抱える商品をロシア国外に輸送・販売し外貨を得る手段が皆無となったからである。
管理人はロシア中部にあるトムスク州の州都トムスク在住の個人セラーと懇意にしていたが、この軍事侵攻後に連絡が取れなくなってしまった。

[germa1-2] 1991年3月24日にNHK総合テレビで放送された『電子立国日本の自叙伝第2回トランジスタの誕生』では、1991年時点でもゲルマニウムデバイスを製造していたアメリカ企業・ゲルマニウム・パワー・デバイス社を取材しており、インタビューに応じた副社長は出荷先とその用途を「インド陸軍の通信機器向け」と発言している。

[spec-3] 半導体デバイスとしての「性能の善し悪し」は別問題なのは言うまでもないが、個人的には「日本製と大差無い」という感想を抱いている。

[germa2-4] 物理量単位は、電圧VがВ、電力WがВт、秒sがс、周波数HzがГц、抵抗ΩがОм、静電容量FがФ、インダクタンスHがГн、利得dBがдБ。電流AはА、絶対温度KはКで同じ。補助単位は、G(ギガ;10⁹)がГ、µ(マイクロ;10^-6)がмк、n(ナノ;10^-9)がн、p(ピコ;10^-12)がп。M(メガ;10⁶)はМ、k(キロ;10³)はк、m(ミリ;10^-3)はмで同じ。

[germa3-5] 5.0 ^5.1 利得が通常値より3dB落ちる( $\frac{1}{\sqrt{2}}$ 倍になる)周波数

[germa4-6] $h_{f e}$ が0dBになる(1倍になる)周波数

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